新製品情報

特徴

• 高周波領域までのアッテネーション（～ 30GHz））
• PAT シリーズとランドパターンコンパチ
• 各種減衰量をラインナップ（0-10dB　で 1dB ステップ）
• コンパクトサイズで低インピーダンス実装（1005 サイズ、フェースダウン実装）

特徴

• 高周波領域までのアッテネーション（～ 50GHz）
• 減衰量（0-10dB）に最適な回路構成
• 小型面実装タイプのチップアッテネータ（1005,2012 サイズ）
• 信号線を GND で挟む放熱・耐ノイズで優位な GSG 構造

特徴

• 薄膜の特性を生かした抵抗器で、DC から 30GHz までの幅広い周波数に対応
• 小型の 0603 サイズ
• フェースダウン実装タイプ

特徴

• 素子最高電圧が高く、高電圧での動作が可能（RGV3225：1000V）
• 無機保護膜の採用による長期安定なチップ抵抗
• 抵抗値許容差：±0.1%、抵抗値温度係数：±25ppm/℃
• ローノイズ、耐硫化を実現する薄膜構造

特徴

• 高温での動作が可能（上限カテゴリー温度範囲：175℃）
• 無機保護膜の採用による長期安定なチップ抵抗
• 抵抗値許容差：±0.1%、抵抗値温度係数：±10ppm/℃
• ローノイズ、耐硫化を実現する薄膜構造

特徴

• 導電性接着剤での実装を可能とした薄膜チップ抵抗器
• 高温での動作が可能（上限カテゴリー温度範囲：230℃）
• 抵抗値許容差：±0.1%、抵抗値温度係数：±10ppm/℃
• ローノイズ、耐硫化を実現する薄膜構造

特徴

• 導電性接着剤での実装を可能とした薄膜ネットワーク抵抗器
• 相対抵抗値許容差：±0.01%、相対抵抗値温度係数：±1ppm/℃
• 高温での動作が可能（上限カテゴリー温度範囲：230℃）
• RoHS対応および100％鉛フリー（金電極端子）
• ローノイズ、耐硫化を実現する薄膜構造

特徴

• 減衰器素子1 個で高性能な減衰特性を実現
• 周波数帯域が広く、異なる複数の周波数を扱う回路での性能確保が容易
• 中心に信号端子、両端にグランドが配置されており、コネクターへの組み込みが容易

特徴

• 直流から20GHz までの周波数レンジをカバー
• 帯域が広いことからデジタル信号の矩形波鈍りなどの変化や時間の遅れによるジッタの発生がない。
• 小型で実装が容易
• 適正な設計と薄膜の特性で低反射
• 自らグランド面を持つタイプと、ご使用の基板にあわせて提供する二つのタイプを準備

特徴

• 窒化アルミ基板の採用で非常に優れた放熱性能を有し、超高電力対応を実現
• 実装が容易で、信頼性も高い電極構造
• 薄膜抵抗体採用によるインピーダンス変化が少ない素子特性

特徴

• 良好な放熱性能により、高電力、高パルス、優れた負荷耐性を実現
• 実装が容易で、信頼性も高い電極構造
• 薄膜抵抗体採用によるインピーダンス変化が少ない素子特性