薄膜の形成法

進工業の着膜技術

物理的方法（PVD）

• 加熱蒸着法(NiCr, Cu, Ni, Au etc.)
• エレクトロンビーム(Ni, Al etc.)
• スパッタリング(NiCr, Cr Alloy, Cu.)
• イオンプレーティング(Ni, Cr etc.)

化学的方法（CVD）

• プラズマCVD(SiO2, SiN etc.)
• プラズマ重合反応(プラズマ重合体あるいはプラズマポリマー)

その他

• 電解めっき(Cu, Ni, Au, Solder etc.)
• 無電解めっき( Au, Ni Alloy etc.)

スパッタリング法 （プレーナマグネトロン法）

グロー放電により発生させたイオンをターゲットに照射しターゲット表面の原子･分子をたたき出し基板上に堆積させ薄膜を形成する

特徴

• 生成薄膜の純度が高い
• 合金の薄膜化に適している
• 高融点材料を使用できる
• 薄膜の密着強度が高い

プラズマCVD法/プラズマ重合反応法

グロー放電によりプラズマ中で分子の分解や結合により基板上に薄膜を形成する

特徴

• 化学反応で難しい低温での反応が可能
• ガス化可能材料なら反応が可能で、有機、無機どちらも形成可能
• ピンホールの無い膜の形成が可能
• 結晶性を有しない無定形の薄膜の形成